Analise Capacitancia Tensao
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1. Espectroscopia de Impedância aplicada em Heterojunções para Células Solares Fotovoltaicas / Espectroscopia de Impedância aplicada em Heterojunções para Células Solares Fotovoltaicas
As propriedades elétricas das heterojunções de Alumínio/Silício-p monocristalino foram estudadas pela técnica de espectroscopia de impedância e análise de capacitância em função do potencial. Estas técnicas não são destrutivas, nem invasivas e conta com elevada precisão. Quando associadas a outras técnicas podem fornecer informações compree
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/04/2011
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2. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico. / Study of SOI multiple gate transistors with gate oxide of high dieletric constant and metal gate electrode.
Este trabalho tem como objetivo investigar o comportamento de transistores SOI de porta tripla com óxido de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta de metal. Inicialmente estudou-se a aplicação dos métodos de extração de parâmetros através de curvas da capacitância, previamente desenvolvidos para estruturas SOI planares, em dispositi
Publicado em: 2010
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3. Caracterização elétrica e físico-química de estruturas dielétrico/4H-SiC obtidas por oxidação térmica
O carbeto de silício (SiC) apresenta várias propriedades extremamente interessantes para a fabricação de dispositivos eletrônicos submetidos a condições extremas como alta temperatura (300 a 600 °C), alta frequência e alta potência. Além disso, é o único semicondutor composto que, reagindo com o oxigênio, forma um óxido isolante estável, o Si
Publicado em: 2010
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4. AnÃlise de sensibilidade de 2Â ordem numa cÃlula a combustÃvel tipo PEM
No atual estÃgio de desenvolvimento em que a humanidade se encontra, a demanda por energia elÃtrica cresce drasticamente a cada ano. Entretanto, a provÃvel escassez da matriz energÃtica de base fÃssil, associada aos danos ecolÃgicos ocasionados pela sua prospecÃÃo e utilizaÃÃo, tem despertado o interesse por novas formas alternativas e renovÃveis
Publicado em: 2008
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5. Utilização de filmes de carbono tipo-diamante nitrogenados e fluorados como materiais eletrônicos.
Este trabalho tem por objetivo principal estudar as alterações que possam vir a ocorrer nas propriedades eletrônicas do filme de carbono amorfo hidrogenado (a-C:H), em virtude da incorporação dos aditivos nitrogênio e flúor. A deposição dos filmes a-C:H, a-C:H:N e a-C:H:F que foram estudados neste projeto de doutorado foi realizada através da técn
Publicado em: 2008
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6. Modelos para definição de ondas de corrente e tensão representativas das solicitações de sistemas de distribuição por descargas atmosféricas
A percepção de que componentes de sistemas elétricos de distribuição podem ser submetidos a formas de onda de tensão e corrente diferentes das recomendadas por normas para a avaliação de seu desempenho em laboratório motivou a realização de estudos computacionais dedicados a investigar os principais mecanismos de interação entre as descargas atm
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/08/2006
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7. Efeitos do recozimento tÃrmico nas propriedades fisÃcas e elÃtricas do filme de carbeto de silÃcio.
Este trabalho descreve o estudo de filmes de carbeto de silÃcio (SiC) depositados sobre substratos de silÃcio e carbono vÃtreo por meio de sputtering de um alvo de SiC com pureza de 99,5%, localizado sobre o catodo magnetron de uma descarga de rÃdio-freqÃÃncia do gÃs argÃnio. As deposiÃÃes foram realizadas variando-se a potÃncia entre 100W e 500W,
Publicado em: 2005
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8. Caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores de infravermelho. / Electrical characterization of PbTe p-n junctions for applicarion in infrared detectors.
Este trabalho visa à caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores fotovoltaicos na faixa do infravermelho médio. Para isto, uma série de junções p-n foi crescida com sucesso por epitaxia de feixe molecular sobre substratos de fluoreto de bário. Nesta série, a concentração de buracos p ficou mantida fixa em 1017
Publicado em: 2004
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9. Aplicação de contatos organico-inorganicos para caracterização de semicondutores
Este trabalho trata da caracterização elétrica de dispositivos formados por um semicondutor orgânico (3,4,9,10 perilenetetracarboxílico dianidrido - PTCDA) sobre semicondutores inorgânicos (Si, GaAs, InP e InGaAs) através de medidas de corrente versus tensão (IxV) e capacitância versus tensão (CxV). Com as medidas IxV analisamos a teoria de transpo
Publicado em: 1990