Contribuição ao crescimento e caracterização do diamante dopado visando futuras aplicações em eletronica
AUTOR(ES)
Li Bin Bin
DATA DE PUBLICAÇÃO
2000
RESUMO
Foram realizados estudos de dopagem do diamante, e estudos da interface entre o diamante e o silício poroso. Os filmes foram crescidos pelo método de deposição química a partir da fase vapor assistido por :fi1amento quente. A fonte precursora de carbono foi álcool etílico e acetona, diluídos em hidrogênio. O boro foi introduzido através da diluição de B2O3 e o nitrogênio através do nitrogênio molecular. Apresentamos os resultados do recozimento na dopagem com boro e calcula-se as energias de ativação em altas concentrações de dopantes. Apresentamos os resultados da dopagem com nitrogênio, correlacionando as energias de ativação com as suas propriedades de fotoluminescência. Estudamos também as propriedades estruturais e de fotoluminescência das junções de diamante e de silício poroso. Verificou-se que estas junções são realizáveis, inclusive na forma de junções sanduíches
ASSUNTO(S)
diamante deposição quimica de vapor fotoluminescencia materiais porosos silicio semicondutores dopados
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000197945Documentos Relacionados
- Filmes de diamante CVD dopado com boro. Parte I . Histórico, produção e caracterização
- Uma contribuição ao estudo da sinterização de estado sólido do diamante
- Caracterização mineralógica de argilas naturais provenientes do Sudeste brasileiro visando aplicações industriais
- Estudo de crescimento de filmes de DLC com nanocristais de diamante para aplicações tecnológicas e industriais.
- Contribuição ao estudo de propriedades do concreto autoadensável visando sua aplicação em elementos estruturais