Desenvolvimento e otimização de um fotodetector de silício bidimensional sensível à posição

AUTOR(ES)

Silva, Ricardo Cunha Gonçalves da

DATA DE PUBLICAÇÃO

2007

RESUMO

O conhecimento da física de semicondutores foi usado para desenvolver e otimizar um sensor ótico de silício capaz de determinar com precisão a posição bidimensional de incidência de um feixe de luz em sua superfície. O sensor usa o efeito de fototensão lateral para gerar um sinal elétrico de saída que é função da posição de incidência da luz. Tecnologia planar do silício foi usada na fabricação do dispositivo, incluindo implantação iônica, difusão, fotolitografia, deposição de filmes metálicos e crescimento de dielétricos. A caracterização elétrica do sensor inclui medidas estáticas, com a distribuição de portadores em regime estacionário, medidas dinâmicas, onde é analisado o transiente do sinal elétrico e medidas espectroscópicas para analisar a resposta do sensor em função do comprimento de onda da luz incidente. Simulações dos processos de fabricação, parâmetros dos passos tecnológicos, distribuição dos portadores e do potencial elétrico bidimensional no sensor foram usadas para a otimização das características do sensor.

ASSUNTO(S)

otica silicio fotodetectores sensores oticos semicondutores potencial eletrico microeletronica junções p-n

Documentos Relacionados

• Desenvolvimento e otimização de tecnologia CMOS com porta de silício policristalino
• Otimização e desenvolvimento de células solares industriais em substratos de silício multicristalino
• Estudo e desenvolvimento de um transdutor de posição linear magnética diferencial
• Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio
• Desenvolvimento e operação de um reator para a deposição de silicio puro a partir de triclorosilano