Estudo de tecnicas perturbativas para aplicação a lasers semicondutores
AUTOR(ES)
Newton Cesario Frateschi
DATA DE PUBLICAÇÃO
1986
RESUMO
Desenvolvemos uma teoria de perturbação, baseada no esquema perturbativo de Au e Aharonov, para aplicação à equação de Helmholtz. Obtivemos, com esta teoria, o ganho modal num laser de heteroestrutura dupla, com perfil de índice de refração do tipo sech2, comparando os resultados com aqueles obtidos pelo "método do índice de refração efetivo". Testamos a teoria para aplicação a guias dielétricos cilíndricos, e portanto a fibras ópticas. Aplicamos a teoria no cálculo da corrente de limiar no laser "inverted gain profile" como função da energia do foton da emissão e da largura da região ativa. Discutimos soluções particulares para as equações elíticas que surgem na teoria de perturbação. Por último, baseado em resultados experimentais e nos estudos teóricos feitos neste trabalho sobre o laser "inverted gain profile" propomos um projeto de integração monolítica destes lasers num "laser-array", discutindo as características esperadas do seu funcionamento.
ASSUNTO(S)
perturbação (matematica) lasers semicondutores
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000047921Documentos Relacionados
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