Fabricação e estudo de dispositivos lasers emitidos em 1, 3 microns
AUTOR(ES)
Douglas John Bull
DATA DE PUBLICAÇÃO
1989
RESUMO
Não informado
ASSUNTO(S)
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000036646Documentos Relacionados
- Fabricação e caracterização de lasers semicondutores de In 1-x GaxAsyP1-Y- 1,3 um
- Estudo do crescimento epitaxial por fase liquida de GaSb, Ga1Sb e GaA1AsSb e sua aplicação em dispositivos lasers
- O átomo de hidrogênio em 1, 2 e 3 dimensões
- Fabricação e caracterização de dispositivos baseados em nanofitas de Óxido de Estanho (SnO2)
- Estudo sobre autopulso em lasers de semicondutor