Faixas de energia do CdTe, do HgTe e da liga CdxHg1-xTe, pelo metodo APW não-relativistico
AUTOR(ES)
Gilda Dalcanale Meneses
DATA DE PUBLICAÇÃO
1972
RESUMO
Neste trabalho é feito um estudo dos níveis de energia eletrônicos no centro da zona de Brillouin, da liga CdxHg1-x Te para as composições x = 0, 0.1, 1.2, 0.3, 0.5, 0.6, 0.8 e 1.0, incluindo, portanto, os cristais componentes do sistema HgTe. Foram utilizados os valores de 6,43 Å e 6,477 Å para o parâmetro de rede, e 0.6715 Ry e 0.633 Ry para Vc, o potencial constante fora das esferas no modelo "Muffin - tin". O Método empregado é o APW ( Augmented Plane Wave ) não relativístico. O potencial cristalino da liga foi aproximado pelo potencial virtual. Curvas que dão a evolução das energias E( G ), Gj = Gl, G2 , G12, G15, G25 em função da composição x foram determinadas, tendo sido feita uma estimativa da variação do gap" com a composicão. Para HgTe e CdTe, foi obtida a a variação do "gap" de energia, com o único parâmetro ajustável do cálculo, o potencial constante Vc fora das esferas. Foi calculada, ainda, a função de onda correspondente a cada. nível de energia. Os resultados quantitativos encontrados indicam serem necessárias correções relativisticas e do potencial cristalino da liga.
ASSUNTO(S)
semicondutores gap de energia (fisica) condutividade eletrica
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000130249Documentos Relacionados
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