Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb
AUTOR(ES)
Ana Maria Hildsdorf Marotta
DATA DE PUBLICAÇÃO
1975
RESUMO
Not informed
ASSUNTO(S)
ions lasers semicondutores relatividade (fisica)
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000056341Documentos Relacionados
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