Propriedades de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras
AUTOR(ES)
Gerald Weber
DATA DE PUBLICAÇÃO
1990
RESUMO
Calculamos, utilizando um formalismo variacional, as energias de ligação de estados de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras dentro da aproximação da massa efetiva. Em um primeiro caso estudamos os estados de doadores ionizados em Ge sob pressão uniaxial na direção [111] .Calculamos também, para poços quânticos, o efeito de um campo elétrico longitudinal sobre as densidades de estados de impureza e espectros de absorção ótica associado a impurezas. Para fios de poços quânticos estudamos as densidades de estados de impureza e analisamos o efeito de levarmos em consideração uma função dielétrica com dependência espacial. Apresentamos ainda, para fios de poços quânticos, espectros de absorção ótica associada a transições entre a sub-banda de valência e a banda de doadores
ASSUNTO(S)
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000028801Documentos Relacionados
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