Recombinação devido a pares doador-aceitador em semicondutores
AUTOR(ES)
Paulo Sergio Guimarães
DATA DE PUBLICAÇÃO
1976
RESUMO
A revised theory of the radiative emission due to donor-aceptor pairs in semiconductors, along with tha analysis of the various parameters which enter into the calculation of the variation of intensity of emission with the pair distance, is worked out. A model to calculate tha impurity states is proposed, more realistic approximations for the pair capture cross-section and for the radiative transition probability have been used.
ASSUNTO(S)
semicondutores - distribuição de impurezas
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000052795Documentos Relacionados
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