Uma contribuição para caracterização de níveis de energia de impurezas em AlxGa1-xAs tipo n. / A contribution of characterization impurities bandgap in AlxGa1-xAs type n.
AUTOR(ES)
Fabio Garcia Gatti
DATA DE PUBLICAÇÃO
2000
RESUMO
Neste trabalho apresentamos medidas de fotocondutividade, decaimento da fotocondutividade persistente, resistência em função da temperatura em amostras de AlxGa1-xAs de gap direto e indireto, dopadas com Si. Comparamos as teorias de Brooks-Herring e Takimoto, ambas referentes ao espalhamento por impurezas ionizadas, e sua aplicabilidade para nosso material. Interpretamos a presença de um estado de energia intermediário nos cálculos da energia de ativação baseado nos resultados de concentração de elétrons livres em função da temperatura .como devido ao defeito D-. Nos resultados de decaimento da fotocondutividade persistente no intervalo de 80 - 100K, contamos com a contribuição do espalhamento por dipolos e propomos o par d+ - VAS- como os responsáveis pela formação destes dipolos e conseqüente melhoria do ajuste da simulação numérica.
ASSUNTO(S)
defeitos mobility semiconductors defects semicondutores mobilidade
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