Circuitos Integrados Mos Projeto
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1. Projeto de uma fonte de tensão de referência CMOS usando programação geométrica. / CMOS voltage reference source design via geometric programming.
Nesta dissertação é apresentada a aplicação da programação geométrica no projeto de uma fonte de tensão de referência de baixa tensão de alimentação que pode ser integrada em tecnologias padrões CMOS. Também são apresentados os resultados experimentais de um projeto da fonte de bandgap feito por um método de projeto convencional, cuja experi
Publicado em: 2010
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2. Estruturas de teste para avaliação de variabilidade estatística em MOSFETs sub-100nm / Test structures for statistical variability evaluation on ultra-deep submicron MOSFETs
As variações nas características elétricas de dispositivos MOS são uma preocupação muito importante no projeto, manufatura e operação de circuitos integrados (CIs). Com a redução contínua (escalamento) das dimensões na tecnologia CMOS, variabilidade de processo se tornou um grande problema, afetando o desempenho e o rendimento positivo na produ�
Publicado em: 2010
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3. Modelo do descasamento (mismatch) entre transistores MOS / Mismatch model for MOS transistors
Diversos modelos teóricos para o descasamento entre dispositivos na tecnologia MOS foram propostos desde a década de ’80, sendo que geralmente estes pecam ou pela simplicidade, sendo válidos apenas sob condições de operação específicas, ou por resultarem em expressões muito complexas, o que torna necessário o uso de pesados recursos computacionai
Publicado em: 2008
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4. Modelo do descasamento (Mismatch) entre transistores MOS / Modelo do descasamento (Mismatch) entre transistores MOS
Diversos modelos teóricos para o descasamento entre dispositivos na tecnologia MOS foram propostos desde a década de 80, sendo que geralmente estes pecam ou pela simplicidade, sendo válidos apenas sob condições de operação específicas, ou por resultarem em expressões muito complexas, o que torna necessário o uso de pesados recursos computacionais.
Publicado em: 2008
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5. Proposal of teaching-learning machines for didactical transposition to CMOS IC design. / Proposta de máquinas de ensino-aprendizagem para transposição didática em projetos de circuitos integrados CMOS.
Esse trabalho apresenta uma proposta na área de Educação em Microeletrônica que visa enriquecer práticas de ensino adotadas na área de projetos de circuitos integrados através do uso de máquinas de ensino-aprendizagem (TLM Teaching-Learning Machine) em aulas de laboratórios como instrumentos auxiliares e complementares ao ensino teórico. As TLMs pr
Publicado em: 2008
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6. Design of a low noise amplifier considering noise and power. / Projeto de um amplificador de baixo ruído em CMOS considerando o ruído e a potência.
Esta dissertação apresenta o projeto de um amplificador de baixo ruído (LNA) para aplicação em 2,4 GHz na tecnologia CMOS 0,35 µm. A metodologia baseia-se na obtenção das dimensões dos dispositivos do circuito considerando o consumo de potência e o desempenho em relação ao ruído. Os resultados mostram que a metodologia implementada é eficaz no
Publicado em: 2008
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7. Automação do projeto de módulos CMOS analógicos usando associações trapezoidais de transistores / Analog CMOS modules design automation using trapezoidal associations of transistors
A metodologia de projeto semi-customizado usando associações trapezoidais de transistores (TATs) é especialmente viável para o projeto de circuitos integrados mistos analógico- digitais. Vários trabalhos foram desenvolvidos demonstrando exemplos de aplicações que geraram bons resultados utilizando esta metodologia. Entretanto, ficou evidente a falta
Publicado em: 2008
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8. Uma ferramenta para automação da geração do leiaute de circuitos analógicos sobre uma matriz de transistores MOS pré-difundidos
Este trabalho apresenta o LIT, uma ferramenta de auxílio ao projeto de circuitos integrados analógicos que utiliza a técnica da associação trapezoidal de transistores (TAT) sobre uma matriz digital pré-difundida. A principal característica é a conversão de cada transistor simples de um circuito analógico em uma associação TAT equivalente, seguido
Publicado em: 2007
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9. Project of circuits for generation of voltage reference in receiving/transmitting RF systems. / Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF.
This work consists in the design of a CMOS Voltage Reference Source with a temperature coefficient inferior to 50 ppm/ºC. This voltage source should be applied in radio frequency receptor/transmitter but can be also applied in any analog system. The technology employed in the design is the CMOS 0.35 µm from the AMS (Austria Micro Systems) with four metal l
Publicado em: 2007
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10. Sensor de pressão microeletronico baseado no efeito piezoMOS / Microelectronic pressure sensor based on the piezoMOS effect
Apresentamos neste trabalho um sensor de pressão de baixo consumo de potência. totalmente compatível com o processo de fabricação CMOS. constituído por um amplificador operacional sensível ao estresse mecânico fabricado sobre uma membrana. O desenho do layout do amplificador é feito de forma a maximizar o efeito do estresse sobre os transistores do
Publicado em: 2006
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11. Study and design of dual-modulus prescaler circuits with a CMOS technology. / Estudo e projeto de circuitos dual-modulus prescalers em tecnologia CMOS.
Este trabalho consiste no estudo e projeto de circuitos Dual-Modulus Prescaler utilizados em sistemas de comunicação RF (radio frequency). Sistemas de comunicação RF trabalham em bandas de freqüência pré-definidas e dentro destas há, normalmente, vários canais para transmissão. Neste caso, decidido o canal onde se vai trabalhar, o receptor e o tran
Publicado em: 2006
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12. Study and design of high speed D/A converter in CMOS tecnology. / Estudo e projeto de um conversor D/A de alta velocidade em tecnologia CMOS.
Neste trabalho é descrito o projeto e testes de um conversor digital/analógico de alta velocidade fabricado em tecnologia CMOS. O conversor pojetado possui resolução de 6 bits, trabalha em freqüência de 200 MSample/s, e foi fabricado na tecnologia CMOS de 0,35 µm da AMS (Austriamicrosystems), com quatro níveis de metal e 2 de silício policristalino.
Publicado em: 2005