Diodos De Silicio
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1. Processamento, propriedades e aplicações das cerâmicas de nitreto de alumínio
Resumo O nitreto de alumínio (AlN) é considerado um adequado material para substratos e materiais de encapsulamento de dispositivos microeletrônicos devido à elevada condutividade térmica, às excelentes propriedades elétricas e ao coeficiente de expansão térmica próximo daquele observado para o silício. Estas propriedades tornam o AlN um excelente
Cerâmica. Publicado em: 2017-12
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2. Estudo de técnicas de determinação experimental e pós-processamento de curvas características de módulos fotovoltaicos / Study on technioues for the experimental determination and post-processing of characteristic curves of photovoltaic modules
O uso da energia solar fotovoltaica tem aumentado muito nos últimos anos. principalmente em países onde políticas governamentais de incentivo desempenharam um papel fundamental neste processo. No Brasil. embora a realidade ainda esteia longe de países como a Esnanha ou a Alemanha. pode-se afirmar aue o uso desta tecnologia apresenta um grande potencial d
Publicado em: 2011
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3. Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses / Development of dosimeters with rad-hard silicon diodes for high dose dosimetry
Neste trabalho são apresentados os resultados obtidos com diodos resistentes a danos de radiação dos tipos fusão zonal padrão (FZ), fusão zonaI com difusão de oxigênio (DOFZ) e Czochralski magnético (MCz) em dosimetria de processamento por radiação gama. Estes dispositivos de junção p+-n-n+ foram manufaturados por Okmetic Oyj. (Vantaa, Finland)
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 31/08/2009
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4. Dosimetria de processos de irradiação gama com diodos comerciais de silício / GAMMA RADIATION PROCESSING DOSIMETRY WITH COMMERCIAL SILICON DIODES
This work envisages the development of dosimeters based on Si diodes for gamma radiation dosimetry from 1 Gy up to 100 Gy. This dose range is frequently utilized in radiation processing of crystal modifications, polymers crosslinking and biological studies carried out in the Radiation Technology Center at IPEN-CNEN/SP. The dosimeter was constructed by a comm
Publicado em: 2009
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5. Preparação e caracterização de filmes finos de cobalto em silício tipo p
Neste trabalho serão discutidos os processos experimentais empregados para a sistematização da preparação e caracterização de diodos de barreira Schottky. O diodo Schottky possui ampla aplicação em dispositivos e aparelhos eletrônicos, sendo peça fundamental na indústria da microeletrônica. O diodo a ser descrito é constituído de uma camada de
Publicado em: 2007
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6. Análise da distribuição de tensões elétricas em uma associação de módulos de um sistema fotovoltaico conectado à rede
Os sistemas fotovoltaicos conectados à rede de distribuição de energia elétrica estão sendo muito estudados, pois representam uma alternativa tecnicamente confiável para incrementar a contribuição das fontes renováveis na matriz elétrica. Portanto é importante conhecer o comportamento desses sistemas e o seu impacto sobre a rede elétrica. Esta di
Publicado em: 2007
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7. Glass passivation in power rectifiers. / Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência.
The search for better electrical properties, new passivating materials for semiconductors junctions and the process of obtaining those ones have being studied intensively in the latest decades. There are two types of passivation layers: thick film and thin film. The first one is obtained by the deposition of silicon oxides, silicon nitride or silicon carbide
Publicado em: 2006
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8. Processos termicos rapidos RTO / RTA para fabricação de dispositivos MOS / Rapid thermal process RTO / RTA for MOS devices fabrication
Filmes ultra-finos e finos de óxido de silício (SiO2) foram obtidos por oxidação (RTO) e recozimento (RTA) térmicos rápidos, usando diferentes temperaturas de 600, 700, 800 e 960oC por 40s, em ambiente de oxigênio e de nitrogênio, respectivamente. A caracterização por elipsometria (para índice de refração fixo de 1.46), por microscopia eletrôni
Publicado em: 2005
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9. "Factors affecting the energy resolution in alpha particle spectrometry with silicon diodes" / "Fatores que influenciam a resolução em energia na espectrometria de partículas alfa com diodos de Si"
Neste trabalho são apresentados os estudos das condições de resposta de um diodo de Si, com estrutura de múltiplos anéis de guarda, na detecção e espectrometria de partículas alfa. Este diodo foi fabricado por meio do processo de implantação iônica (Al/p+/n/n+/Al) em um substrato de Si do tipo n com resistividade de 3 kohmcm, 300 mícrons de esp
Publicado em: 2005
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10. Caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores de infravermelho. / Electrical characterization of PbTe p-n junctions for applicarion in infrared detectors.
Este trabalho visa à caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores fotovoltaicos na faixa do infravermelho médio. Para isto, uma série de junções p-n foi crescida com sucesso por epitaxia de feixe molecular sobre substratos de fluoreto de bário. Nesta série, a concentração de buracos p ficou mantida fixa em 1017
Publicado em: 2004
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11. Molecular beam epitaxy of p-type doped layers for the construction of optoelectronic devices / Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos
Durante as últimas três décadas, a epitaxia por feixe molecular se estabeleceu como uma técnica excelente para o crescimento de camadas semicondutoras de alta qualidade, tanto para a construção de dispositivos quanto para a pesquisa básica. No entanto ainda não existe um método universalmente aceito para obter-se camadas dopadas do tipo p nesta téc
Publicado em: 2004
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12. Estudo químico-quântico ab initio e semi-empírico de compostos inorgânicos e orgânicos com possíveis aplicações tecnológicas
Longa vida útil, alta densidade de energia, segurança ambiental, baixo custo, por-tabilidade e confiabilidade são requisitos exigidos pela moderna sociedade na produção das baterias. As baterias recarregáveis de lítio usando soluções eletrolíticas com solventes apróticos atendem, em princípio, estes requisitos. Ao se usar uma solução eletrolít
Publicado em: 2001