Epitaxia Simulacao Por Computador
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1. Simulação de crescimento epitaxial e formação de interfaces por metodo Monte Carlo
Os processos cinéticos - difusão e adsorção - responsáveis pela formação de estruturas superficiais na interface sólido-vapor durante a epitaxia de filmes finos cristalinos foram estudados usando o método Monte Carlo Cinético. O crescimento epitaxial foi simulado computacionalmente baseando-se no modelo Solid-on-Solid (SOS). Supõe-se que o cristal
Publicado em: 2000