Heterojunaaes
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1. SÃntese e CaracterizaÃÃo de Filmes Finos de Ãxido de Zinco e Polianilina para AplicaÃÃes em HeterojunÃÃes Semicondutoras
Neste trabalho foi desenvolvido um processo de deposiÃÃo de filmes finos de Ãxido de zinco a partir do pà (ZnO) sobre substratos de vidro e semicondutores atravÃs da tÃcnica de evaporaÃÃo tÃrmica resistiva. Os filmes foram submetidos a tratamentos tÃrmicos em N2, Ar e O2 e posteriormente foram estudadas suas propriedades estruturais, topogrÃficas,
Publicado em: 2009
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2. ProduÃÃo de heterojunÃÃes de polianilina/silÃcio e nanofibras de polianilina para aplicaÃÃes em dispositivos hÃbridos
In this work we develop the methodology for the synthesis and fabrication of Polyaniline (PANI) â Silicon (Si) heterojunctions, with great potential for technological applications as sensors in different areas such as optics, ionizing radiation and gas detection. Besides, we were able to implement the electrospinnin technique with the goal of producing poly
Publicado em: 2006
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3. FabricaÃÃo e caracterizaÃÃo elÃtrica de heterojunÃÃes de polianilina-silÃcio para aplicaÃÃo em dosimetria de radiaÃÃo gama
In this work a technique has been developed to fabricate high quality polyanilinesilicon heterojunction diodes for use as gas and/or ionizing radiation sensors. Polyaniline thin films (40 nm thick) produced by spin-coating on silicon substrates, were the active part of the junction structure. The devices presented excellent reproducibility of their electrica
Publicado em: 2004
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4. Heteroestruturas de semicondutores IV-VI sobre Si obtidas por MBE para aplicaÃÃo em detectores de infravermelho.
Este trabalho investiga pela primeira vez o crescimento epitaxial por MBE - Molecular Beam Epitaxy - e anÃlise in-situ com RHEED - Reflection High Energy Electron Diffraction - de compostos IV-VI diretamente sobre silÃcio. Exceto por alguns poucos e incompletos trabalhos anteriores, esta estrutura à praticamente desconhecida. Estas heteroestruturas necess
Publicado em: 2000