Heterojuncoes
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1. Espectroscopia de Impedância aplicada em Heterojunções para Células Solares Fotovoltaicas / Espectroscopia de Impedância aplicada em Heterojunções para Células Solares Fotovoltaicas
As propriedades elétricas das heterojunções de Alumínio/Silício-p monocristalino foram estudadas pela técnica de espectroscopia de impedância e análise de capacitância em função do potencial. Estas técnicas não são destrutivas, nem invasivas e conta com elevada precisão. Quando associadas a outras técnicas podem fornecer informações compree
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/04/2011
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2. Isolação elétrica por implantação iônica em GaAs e AlGaAs
O processo de isolação elétrica por implantação de prótons é estudado para os casos do semicondutor GaAs e de estruturas DBR - Distributed Bragg Reflectors - de AlGaAs. A obtenção da energia crítica de implantação em camadas DBR de dispositivos VCSELs, Vertical Cavity Surface Emmiting Lasers, é exemplificada. Medidas da evolução da resistênci
Publicado em: 2009
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3. Caracterização elétrica de células solares de tripla tecnologia de matérias e sensores / Electrical characterization of triple junction solar cells - GAINP/GAAS/GE
Triple junction solar cells use a combination of semiconductor materials to more efficiently capture photons in the range of 300nm to 1800nm of sun solar spectrum. Minimum average conversion efficiency AM0 for first generation TJ solar cell for space use is 26,0%. The GaInP, GaAs and Ge were select because of their collective ability to match bandgap energie
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/03/2006
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4. Characterization of Si1-xCx:H thin films deposited by PECVD for SiCOI heterojuntion fabrication
As heterojunções de SiC em isolante, conhecidas como SiCOI (SiC-on-insulator), ao combinar as vantagens do SiC e do substrato de Si mostram-se interessantes para aplicações em altas temperaturas, alta potência, altas freqüências, sensores inteligentes, e aplicações micro-mecânicas. Neste trabalho pesquisamos as propriedades de filmes finos de carbe
Journal of the Brazilian Chemical Society. Publicado em: 2006-10
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5. Caracterização elétrica de células solares de tripla tecnologia de matérias e sensores / Electrical characterization of triple junction solar cells - GAINP/GAAS/GE
Células solares tripla junção (TJ) utilizam uma combinação de materiais semicondutores para capturar mais eficientemente os fótons na faixa de 300nm a 1800nm do espectro solar. A eficiência mínima de conversão AM0 para uma célula de TJ de primeira geração para uso espacial é de 26%. O GaInP, GaAs e Ge foram escolhidos devido a capacidade coletiv
Publicado em: 2006
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6. Estados eletronicos e alinhamento de bandas em heterojunções por espectroscopia de eletrons
Não informado.
Publicado em: 1998
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7. Espalhamento assistido por fonons : alguns modelos exatamente soluveis
Nesta dissertação tratamos do espalhamento de partículas (elétrons e éxcitons) em sistemas nos quais o potencial espalhador está acoplado a modos vibracionais. Os efeitos do acoplamento, no espalhamento das partículas, são estudados em dois problemas particularmente interessantes, a saber: o tunelamento de elétrons em heterojunções e o espalhament
Publicado em: 1990
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8. Heterojunções fotovoltaicas de SnO2/Si
Not informed
Publicado em: 1982
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9. Heterojunções de oxido de indio e silicio
Construiram-se heterojunções de. óxido de índio por evaporação térmica e por canhão de elétrons sobre silício monocristalino, tipos p e n e de resistividades escolhidos entre 0,015 a 15 ?cm. Os filmes de In2O3 submetidos ao tratamento térmico, alcançaram transparência acima de 85% na faixa do visível (300 a 2500 nm), e baixas resistividades, da
Publicado em: 1982