Microeletronic Processes
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1. Estudo e caracterização de filmes de a-Si1-xCx:H obtidos por PECVD visando sua aplicação em MEMS e dispositivos ópticos. / Study and characterization of a-Si1-xCx:H thin films produced by PECVD aiming applications in mems and optical devices.
Neste trabalho foi desenvolvido um estudo sistemático das propriedades estruturais, mecânicas e ópticas de filmes de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-Si1-xCx:H) produzidos pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD) a baixas temperaturas (320°C), utilizando silana (SiH4) e metano (CH4) como gases precursores do sil
Publicado em: 2008
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2. Fabricação de canaletas em substratos de silício para acoplamento fibra-guia utilizando siliceto de níquel como material de máscara. / Fabrication of V-grooves on silicon substrates for fibre-guide coupling using nickel silicide as mask material.
Neste trabalho, apresentamos um novo processo de fabricação para a obtenção de canaletas em V em substratos de silício monocristalino (100) para um acoplamento óptico utilizando siliceto de níquel como material de máscara. O filme de siliceto de níquel (10nm de espessura para 200 nm de nickel) foi obtido por processos de evaporação térmica e post
Publicado em: 2007