Pocos Quanticos De Semicondutores
Mostrando 1-12 de 56 artigos, teses e dissertações.
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1. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): Princípios de operação e características eletrônicas
O ensino de física dos dispositivos semicondutores é absolutamente fundamental para o desenvolvimento da microeletrônica. Contudo, cursos introdutórios nesta área muitas vezes se limitam a apresentar modelos analíticos excessivamente simplificados, que possibilitam uma compreensão intuitiva, mas incapazes de captar toda a complexidade dos dispositivos
Rev. Bras. Ensino Fís.. Publicado em: 2015-12
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2. Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs / Interface effect on the optical properties of InP/GaAs quantum dots
We studied the effect of different interface conditions on the optical properties of InP/GaAs self-assembled quantum dots grown by chemical beam epitaxy in the Stranskii-Krastanov mode. InP/GaAs quantum dots is expected to present type II band alignment, and only electrons are confined, whereas the holes are localized in the GaAs layers around the quantum do
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/08/2012
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3. Propriedades óticas e de transporte em heteroestruturas semicondutoras contendo GaMnAs
Neste trabalho, realizamos um estudo sistemático em poços quânticos de Ga1- xMnxAs/GaAs/AlAs (QWs) com baixa concentração de manganês (x <0,1%) crescidos por epitaxia de feixe molecular em altas temperaturas de crescimento do substrato 400 e 450C. Estudamos as medidas de fotoluminescência resolvida no tempo e fotoluminescência resolvida em polarizaç
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/10/2011
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4. A study on the physical properties of quantum dot structures for infrared photodetection
Esta tese faz parte de uma proposta mais ampla cujo objetivo global e dominar a tecnologia de fotodetectores de radiacao infravermelha baseados em pontos quanticos semicondutores auto-organizados, os Quantum Dot Infrared Photodetectors (QDIPs), para a faixa de comprimento de onda de 2 a 20 Êm. A tese esta centrada no estudo das propriedades fisicas de ponto
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 12/07/2011
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5. Self-interaction corrections in density functional theory: investigation in models of many-body systems / Correções de auto-interação na teoria do funcional da densidade: investigação em modelos de sistemas de muitos corpos
Neste trabalho utilizamos sistemas modelos no desenvolvimento, implementação e análise de funcionais orbitais da densidade, focando, em particular, nas correções de autointeração de Perdew-Zunger (PZSIC) e Lundin-Eriksson (LESIC). Aplicamos as correções de auto-interação ao funcional local (LDA) do modelo de Hubbard e de poços quânticos semicond
Publicado em: 2010
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6. Relaxação do spin em poços quânticos de InGaAs/GaAs dopados com Mn / Spin relaxation of electrons in InGaAs/GaAs quantum wells Mn-doped barriers
Nesta dissertação investigamos os efeitos dos íons de Mn na dinâmica do spin de elétron em poços quânticos de InGaAs/GaAs. Os poços têm um gás de buracos gerado por dopagens em suas barreiras, sendo uma dopagem tipo delta de Mn numa das barreiras e uma dopagem tipo delta de C, na outra. A densidade de buracos foi determinada mediante medidas de tra
Publicado em: 2010
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7. Estudo das propriedades termoelétricas de fios quânticos de telureto de chumbo / Study of thermoelectrical properties in lead telluride quantum wires
Neste trabalho é apresentado um estudo teórico das propriedades eletrônicas e termoelétricas de fios quânticos de PbTe. Efeitos termoelétricos em materiais nanoestruturados da família IV-VI, em particular super-redes, poços e fios quânticos, têm sido muito estudados por apresentarem um aumento no valor da figura de mérito em relação ao bulk (mat
Publicado em: 2010
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8. Analisys of the atomic orbitals spin information in the calculation of semiconductors strucutures properties / Análise da informação do spin dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades de estruturas semicondutoras
O presente trabalho é um estudo sobre a importância da informação dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades optoeletrônicas de heteroestruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade. O trabalho é dividido em duas partes: na primeira parte, é estudada a simetria de reversão temporal no hamiltoniano k . p, analisando a preservação da info
Publicado em: 2010
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9. Proposta de metodologia para simulação de fotodetectores infravermelhos a poços quânticos empregando o programa ATLAS.
Esta tese apresenta uma proposta de metodologia para simulação de Fotodetectores Infravermelhos a Poços Quânticos, empregando-se o programa ATLAS. O ATLAS é um programa comercial, que realiza a simulação das características elétricas, ópticas e térmicas de dispositivos semicondutores. Este trabalho apresentou a simulação das estruturas que fazem
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 04/12/2009
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10. Propriedades de transporte de spins polarizados em heteroestruturas semicondutoras
Neste trabalho usamos a técnica da matriz de espalhamento para calcular a trans- missividade de spins polarizados através de heteroestruturas semicondutoras de dupla barreira simétrica. A dinâmica dos portadores é descrita pela aproximação de massa efetiva aplicada aos modelos de Dresselhaus e Bychkov-Rashba. Sendo o primeiro hamil- toniano estudado e
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 25/06/2009
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11. Como simular um laser de pontos quânticos semicondutores
Laser de pontos quânticos semicondutores é uma recente classe de fontes laser que se apresenta como alternativa aos lasers de poços quânticos. Durante o desenvolvimento de fontes laser um passo importante consiste na modelagem dos dispositivos a serem realizados, e isto requer o uso de bons métodos, capazes de incorporar vários fenômenos físicos pres
Revista Brasileira de Ensino de Física. Publicado em: 2009-06
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12. Proposta de metodologia para simulação de fotodetectores infravermelhos a poços quânticos empregando o programa ATLAS.
Esta tese apresenta uma proposta de metodologia para simulação de Fotodetectores Infravermelhos a Poços Quânticos, empregando-se o programa ATLAS. O ATLAS é um programa comercial, que realiza a simulação das características elétricas, ópticas e térmicas de dispositivos semicondutores. Este trabalho apresentou a simulação das estruturas que fazem
Publicado em: 2009