Propriedades Dieletricas Dos Gases
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1. Fotoluminescência de nitreto de silício não estequiométrico depositado por sputtering reativo
Nanoestruturas de silício incorporadas em matrizes dielétricas são promissoras para aplicação em dispositivos optoeletrônicos. Neste trabalho, estudamos a influência dos diferentes parâmetros de deposição para filmes de nitreto de silício não estequiométricos obtidos pela técnica de deposição por pulverização catódica com gases reativos (s
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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2. Transistor de efeito de campo (FET) para detecção quimica e bioquimica utilizando dieletrico de porta constituido de camada empilhada SiNx/SiOxNy / Field effect transistors (FET) with dielectric gate made of a stacked layer SiNx/SiOxNy for chemical and biochemical detection
Esta dissertação consiste de duas etapas. Inicialmente são estudados filmes de nitreto de silício depositados por LPCVD, Low Pressure Chemical Vapor Deposition, utilizando-se diferentes relações de concentração de gases reagentes, [SiH2Cl2]/[NH3], e utilizando-se como substrato lâminas de silício tipo p, com e sem camada almofada de oxinitreto de s
Publicado em: 2009
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3. Estudo, utilizando a mecânica quântica, das propriedades dielétricas e do efeito da blindagem dinâmica na taxa de aquecimento de plasmas macroscópicos
Do ponto de vista da Mecânica-Quântica foram investigados as propriedades dielétricas e o comportamento das oscilações coletivas (plasmons), para plasmas macroscópicos submetidos à ação de campos de radiação eletromagnética. Para plasmas não magnetizados, encontraram-se modulações nas propriedades dielétricas e freqüências de plasmons em re
Publicado em: 2006
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4. Study and fabrication of MOS capacitor with PECVD SiOxNy. / Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD.
Neste trabalho foram fabricados e caracterizados capacitores MOS com camada dielétrica de oxinitreto de silício de diferentes composição química, depositada pela técnica de PECVD a baixa temperatura, com o intuito de estudar suas propriedades dielétricas e de interface visando à aplicação deste material em dispositivos MOS e de filme fino. Os capac
Publicado em: 2003
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5. Obtenção de filmes finos de oxidos semicondutores ternarios de banda larga pelo processo de decomposição de precursores metalorganicos
Neste trabalho, o processo de Decomposição de Precursores Metalorgânicos (MOD) foi utilizado na preparação de sólidos policristalinos e filmes finos de óxidos ternários do tipo Cd2SnO4 e Cd2M2O7 (M = Sb e Nb). Esses óxidos são chamados de semicondutores de banda larga e apresentam, simultaneamente, duas propriedades de interesse científico e tecno
Publicado em: 2002
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6. Emissão, propagação e amplificação da radiação quilométrica das auroras nas subcavidades aurorais
The present work investigates the propagation and amplification of electromagnetic waves in a plasma localized in the vicinity of the geomagnetic poles, at heights not much greater than three times the Earth s radius. The phenomena studied is known as the Aurorai Kilometric Radiation (AKR), the strongest of the various types of emission that can occur as a c
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2001