Resistividade De Contato
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1. Differences in soil electrical resistivity tomography due to soil water contents in an integrated agricultural system
Resumo: O objetivo deste trabalho foi caracterizar a variabilidade espacial da resistividade elétrica do solo devido a diferentes umidades do solo, em sistema agropecuário integrado. A resistividade elétrica (RE) do solo foi medida com o sensor de contato “Automatic Resistivity Profiling” (ARP) em duas datas, em 2016, em área de 9,7 ha com diferentes
Pesq. agropec. bras.. Publicado em: 28/11/2019
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2. Estudo da corrosão de aço AISI 1020 em meio de petróleo / Study of corrosion of AISI 1020 steel in crude oil
A agressão química do petróleo, o qual contém compostos corrosivos tais como H2S, CO2, ácidos naftênicos e sais dissolvidos em fase aquosa, combinada com efeitos de variação do pH, temperatura, fluxo e pressão, tem grande influência na taxa de corrosão em equipamentos de aço. Devido a pouca quantidade de trabalhos encontrados na literatura relaci
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 11/08/2011
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3. Corrosão em armaduras de espera enterradas com 60 anos - estudo de caso das fundações da ala zero do ITA
A corrosão das armaduras de espera na condição enterrada é um dos fatores de redução da vida útil do concreto armado devido à interação com diversos parâmetros dos materiais, solos e condições ambientais adversas. No presente trabalho buscou-se analisar o estado e evolução da corrosão em armaduras de espera em contato com o solo, presentes em
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 18/03/2011
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4. Estudo de alguns parâmetros básicos da soldagem GMAW com transferência por curto-circuito
O processo de soldagem GMAW é caracterizado por uma forte interdependência de seus parâmetros operacionais e uma grande sensibilidade a variações destes. Estas características podem causar variações nas condições operacionais, dificultando o estabelecimento e a reprodução destas condições que, usualmente precisam ser verificadas pela realizaç�
Soldagem & Inspeção. Publicado em: 2011-03
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5. Preparação e caracterização de materiais carbonosos termo-resistivos a partir de tecidos de fibras PAN / Thermal and mechanical properties of no-flame carbon materiais
A preocupação com a segurança e a redução de prejuízos diante de um acidente envolvendo fogo tem gerado a busca por materiais que possam ser utilizados nestas situações. Para locais que envolvem altas temperaturas, existem os materiais que não propagam chama. Os materiais que não propagam chama e que atuam como isolantes térmicos possuem inúmeras
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 18/05/2010
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6. Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe crescidas por epitaxia de feixe molecular / PbTe/PbEuTe double barrier structures grown by molecular beam epitaxy
Este trabalho apresenta o crescimento por epitaxia de feixe molecular de estruturas de barreira dupla (BD) de PbTe/Pb$_{1-x}$Eu$_{x}$Te e o processamento do dispositivo, visando à medida de tunelamento ressonante. As amostras foram crescidas sobre substratos de BaF$_{2}$ (111) à temperatura de 300$°$C. Medidas de resistividade e efeito Hall foram realizad
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/04/2006
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7. Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P. / Electrical characterization of nickel-silicide shallow contacts on N+P junctions.
This work presents the fabrication and electrical characterization of Al/Ti/Ni(Pt)Si contacts having the nickel monosilicide formed from Ni(30nm)/Pt(1.5nm)/Si structure on shallow N+P junctions with about 0.2 ìm of depth. The diodes? electrical behavior achieved at the best process was considered good, with the following average and standard deviations: are
Publicado em: 2006
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8. "Propriedades ópticas e elétricas de filmes epitaxiais de GaAs:Si crescidos na superfície (311)A"
Um estudo sistemático de caracterização de filmes de GaAs dopados com Silício e crescidos por Epitaxia de Feixes Moleculares sobre substratos de GaAs orientados na superfície (311)A, foi desenvolvido visando compreender os mecanismos de incorporação do Si no filme. Na superfície (311)A o Si tem comportamento anfótero, ou seja, pode ocupar tanto o s�
Publicado em: 2002
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9. FORMATION AND PROPERTIES OF NANOMETER-THICK PLATINUM SILICIDE LAYERS
Os filmes finos de siliceto de platina são largamente usados em dispositivos de silício como contatos ôhmico e Schottky. Têm-se demonstrado recentemente que barreiras Schottky empregando filmes ultra-finos de siliceto de platina (espessura <10 nm) podem ser usados em fotodetecção no infravermelho próximo. Neste trabalho foi estudada a formação de fi
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 1996