Semiconductor Heterostructures
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1. Estudio Ab-initio de propiedades estructurales, elásticas y electrónicas de nanohilos core/shell
ABSTRACT This Zinc oxide (ZnO) is widely used in different electronic devices due to its thermal, electronic, and piro-piezoelectric properties. Some of these properties are noticeable improvement at the nanoscale, specially when ZnO together with other material create heterostructures. Recently, core/shell nanowires have been synthesized in order to raise t
Matéria (Rio J.). Publicado em: 19/07/2018
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2. AnÃis quÃnticos semicondutores ideais / Ideal semiconductor quantum rings
Nos Ãltimos anos, numerosos avanÃos alcanÃados nas tÃcnicas de crescimento de materiais deram origem à formaÃÃo de vÃrias heteroestruturas de semicondutores, onde se podem confinar elÃtrons e buracos em uma ou mais direÃÃes, atravÃs de barreiras de potencial. Muitos pesquisadores recentemente tÃm estudado estruturas de baixas dimensionalidades,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 08/08/2011
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3. Estudo de pontos quânticos auto-organizados de InAs por fotoluminescência
Semiconductor structures with high confinement degree, such as quantum wells, quantum wires and quantum dots, have been of great interest, both from the technological point of view and for basic research. Self-Assembled Quantum Dots (SAQD`s) appear spontaneously, as a consequence of the lattice mismatch of the material deposited in relation to the substrate,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/02/2010
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4. The role of nonequilibrium thermo-mechanical statistics in modern technologies and industrial processes: an overview
The nowadays notable development of all the modern technology, fundamental for the progress and well being of world society, imposes a great deal of stress in the realm of basic Physics, more precisely on Thermo-Statistics. We do face situations in electronics and optoelectronics involving physical-chemical systems far-removed-from equilibrium, where ultrafa
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2010-03
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5. Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes / Structural study of semiconductors nanosystems and implanted semiconductors by means of n-beams X-ray diffraction
In this paper, X-ray multiple diffraction (MD) associated with the advantages of synchrotron radiation appears as a high-resolution microprobe and it is used to obtain relevant contributions to the study of structural properties of semiconductor materials, as they present themselves nanosystems epitaxial or implanted with ions. The study and detection of neg
Publicado em: 2010
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6. Sistemas eletrônicos em duas dimensões : desordem e resposta dinâmica
In disordered systems the pinning strength on the carriers due to impurities or defects is one of the most important mechanisms that produce insulator behavior. A transition to a metal phase should occur if a driving field is applied to the system. In the last three decades, such transition in two-dimensional systems has attracted much attention in light of
Publicado em: 2009
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7. Metodologia computacional para o projeto de dispositivos semicondutores nanoestruturados / Computational methodology for the design of nanostructured semiconductor devices
Nanoestruturas semicondutoras como poços, fios e pontos quânticos possuem inúmeras aplicações de interesse tecnológico. Como exemplo pode-se citar sua utilização em lasers, detectores de infravermelho, transistores, spintrônica, na medicina e, prevê-se que, futuramente, sejam essenciais na computação quântica. O domínio dessa tecnologia é visa
Publicado em: 2008
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8. Metodologia computacional para o projeto de dispositivos semicondutores nanoestruturados / Computational methodology for the design of nanostructured semiconductor devices
Nanoestruturas semicondutoras como poços, fios e pontos quânticos possuem inúmeras aplicações de interesse tecnológico. Como exemplo pode-se citar sua utilização em lasers, detectores de infravermelho, transistores, spintrônica, na medicina e, prevê-se que, futuramente, sejam essenciais na computação quântica. O domínio dessa tecnologia é visa
Publicado em: 2008
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9. Propriedades eletrônicas de heteroestruturas semicondutoras magnéticas diluídas. / Electronic properties of diluted magnetic semiconductor heterostructures
Neste trabalho e apresentado um estudo, via teoria de massa efetiva multibanda autoconsistente de heteroestruturas de semicondutores magnéticos diluídos, generalizada para incluir parâmetros de diferentes materiais. A interacao magnética e descrita por um modelo de campo médio baseado no mecanismo de troca indireta, com a possibilidade de inclusão de d
Publicado em: 2007
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10. Inter-subband spin-orbit coupling in semiconductor heterostructures / Acoplamento spin-órbita inter-subbanda em heteroestruturas semicondutoras
Neste trabalho apresentamos a determinação autoconsistente da constante de interação spin-órbita em heteroestruturas com duas sub-bandas. Como recentemente proposto, ao obter o hamiltoneano de um sistema com duas sub-bandas na aproximação de massa efetiva, constata-se a presença de um acoplamento inter-subbanda que não se anula mesmo em heteroestrut
Publicado em: 2007
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11. Correlated electron-hole transitions in bulk GaAs and GaAs-(Ga,Al)As quantum wells: effects of applied electric and in-plane magnetic fields
The effects of crossed electric and magnetic fields on the electronic and exciton properties in semiconductor heterostructures have been investigated within the effective-mass and parabolic band approximations for both bulk GaAs and GaAs-Ga1-xAl xAs quantum wells. The combined effects on the heterostructure properties of the applied crossed electric/magnetic
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2006-09
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12. Fabricação de novas heteroestruturas a partir de estruturas SOI obtidas pela técnica smart-cut. / New semiconductor heterostructures based on SOI structures obtained by "smart-cut" process.
In this work we study new semiconductors heterostructures, based on SOI (Silicon-On- Insulator) structures obtained by "Smart-Cut" process, that were studied in the last years at Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP). This technique combines high-dose hydrogen ion implantation (I/I) a
Publicado em: 2006