Semiconductores
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1. INVESTIGATION ON THE MAGNETORESISTANCE EFFECT IN ORGANIC SEMICONDUCTORS USING THE MAGNETIC FIELD MODULATION TECHNIQUE / ESTUDO DO EFEITO DE MAGNETORESISTÊNCIA EM SEMICONDUTORES ORGÂNICOS UTILIZANDO A TÉCNICA DE MODULAÇÃO DO CAMPO MAGNÉTICO
Neste trabalho foi implementado um sistema capaz de realizar medições do efeito de magnetoresistência em dispositivos baseados em semicondutores orgânicos. Este efeito foi recentemente descoberto em dispositivos construídos utilizando filmes finos de materiais orgânicos não magnéticos de baixo peso molecular e poliméricos. O sistema implementado é
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 12/09/2011
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2. THE NATURE OF PLASTIC DEFORMATION OF III-V SEMICONDUCTORS RESULTING FROM ATOMIC FORCE MICROSCOPY NANOLITHOGRAPHY / A NATUREZA DA DEFORMAÇÃO PLÁSTICA EM SEMICONDUTORES III-V RESULTANTE DA NANOLITOGRAFIA POR MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA
Neste trabalho foi estudada a deformação mecânica em semicondutores III-V resultante da nanolitografia por microscopia de força atômica (AFM). O AFM, equipado com uma ponta de diamante de raio de curvatura de 80 nm, foi usado para riscar a superfície do InP com forças da ordem de dezenas de mN ao longo de direções cristalográficas específicas. O p
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/06/2011
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3. SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURE FABRICATION IN MECHANICAL DEFECTS PRODUCED BY ATOMIC FORCE MICROSCOPY / FABRICAÇÃO DE NANOESTRUTURAS SEMICONDUTORAS EM DEFEITOS PRODUZIDOS POR MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA
A combinação de alta densidade, locais seletivos de nucleação e controle da distribuição de tamanho de nanoestruturas semicondutoras tem acelerado o desenvolvimento de dispositivos ópticos e eletrônicos. Para construir estruturas satisfazendo essas necessidades, várias combinações de técnicas deposição de pontos quânticos e nanolitografia fora
Publicado em: 2008
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4. Construcción de significados de física de semiconductores en educación secundaria: fundamentos y resultados de una investigación
In this paper, we point out the need for undertaking investigations oriented to insert basic notions of semiconductor physics in the secondary school science curriculum. The aim is to give support to the study of Electronics into Technology Area. In this sense, we present results of a research carried out with secondary school students (14-15 years), about t
Revista Brasileira de Ensino de Física. Publicado em: 2006
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5. DEVELOPMENT OF FAR-INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON INTRABAND TRANSITIONS IN GAAS/ALGAAS MULTI-QUANTUM WELLS / DESENVOLVIMENTO DE FOTODETECTORES DE INFRAVERMELHO DISTANTE UTILIZANDO TRANSIÇÕES INTRABANDA EM POÇOS QUÂNTICOS MÚLTIPLOS DE GAAS/ALGAAS
Nas Forças Armadas do Brasil existe uma forte demanda pelo desenvolvimento de detectores de infravermelho nacionais para uso em diversas aplicações sujeitas a rígidas restrições de importação, como sistemas de imageamento infravermelho para visão noturna, guiamento de mísseis, sistemas de mira, etc. O objetivo deste trabalho foi desenvolver fotodet
Publicado em: 2006
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6. Silicon-based spin and charge quantum computation
Arquiteturas de computadores quânticos baseadas em silício vêm atraindo atenção devido às suas perspectivas de escalabilidade e utilização dos recursos já instalados associados à tecnologia do Si. Spins eletrônicos e nucleares de doadores rasos (por exemplo fósforo) em Si são candidatos ideais para bits quânticos (qubits) nestas propostas, devi
Anais da Academia Brasileira de Ciências. Publicado em: 2005-06
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7. Sensor polimerico de umidade relativa com circuito condicionador de sinais integrado / Polymeric relative humidity sensor with integrated signal conditioning circuit
Este trabalho descreve o desenvolvimento de um sensor de umidade relativa que tem como elemento sensor um polímero (poli(óxido de etileno-co-epicloridrina)84:16), cuja condutividade varia com a umidade. O polímero foi depositado por casting sobre um substrato cerâmico sobre o qual, por sua vez, foram depositados dois eletrodos em forma interdigitada aos
Publicado em: 2005
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8. CARBON DOPING IN INAIAS EPITAXIAL LAYERS / DOPAGEM CARBONO EM CAMADAS EPITAXIAIS DE INALAS
É reconhecido o potencial de usar carbono como um dopante tipo p em InAlAs devido a obtenção de elevados níveis de dopagem [1,2]. Entretanto, níveis elevados de dopagem só são alcançados em baixas temperaturas de crescimento (Tg inferiores a 600°C). Nessas temperaturas, as camadas crescidas apresentam qualidade ótica inferior quando comparadas com
Publicado em: 2002