Semicondutores Difusao
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1. Caracterização da eletrodeposição de filmes finos de CdTe sobre Pt em meio ácido
RESUMO A eletrodeposição tem sido empregada para a obtenção de materiais semicondutores; todavia, ainda não estão bem esclarecidos os mecanismos envolvidos neste processo. Neste sentido, este trabalho apresenta a investigação deste processo, evidenciando a caracterização do CdTe eletrodepositado sobre substrato platina em solução ácida. A deposi
Matéria (Rio J.). Publicado em: 2015-12
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2. Texturização da superfície de silício monocristalino com NH4OH e camada antirrefletora para aplicações em células fotovoltaicas compatíveis com tecnologia CMOS = : Texturing the surface of monocrystalline silicon with NH4OH and anti-reflective coating for applications in photovoltaic cells compatible with CMOS technology / Texturing the surface of monocrystalline silicon with NH4OH and anti-reflective coating for applications in photovoltaic cells compatible with CMOS technology
Este trabalho apresenta o desenvolvimento de células fotovoltaicas de junção n+/p em substratos de Si com processos de fabricação totalmente compatíveis com a tecnologia CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Os processos compatíveis desenvolvidos neste trabalho sao as técnicas: i) de texturização da superfície do Si, com reflexao da supe
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/08/2012
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3. Estudo da dependência da transferência espacial de energia com a concentração e com o tamanho de pontos quânticos de CdSe/ZnS
Os processos de transferência de energia em pontos quânticos (PQs) de CdSe/ZnS núcleo/casa (em inglês core/Shell) foram investigados nesse trabalho. As técnicas de absorção óptica, fotoluminescência e varredura da microluminescência foram aplicadas com o objetivo de entender os fenômenos de transferência de energia resolvida espacialmente para os
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/07/2011
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4. Produção de nanomateriais semicondutores e caracterização de suas propriedades estruturais, térmicas e ópticas
Nessa dissertação de mestrado a Mecano-Síntese foi utilizada para produzir nanomateriais semicondutores (In-Sb, Cd-Te e Zn-Te) na forma de pó. Propriedades estruturais, térmicas e ópticas das ligas foram estudadas. A fase estrutural majoritária nucleada em todos os materiais foi cúbica do tipo blenda de zinco. Os modos vibracionais ópticos típicos
Publicado em: 2009
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5. Redistribuição e ativação de dopantes em Si com excesso de vacâncias
A redistribuição e ativação elétrica dos dopantes tipo n (As e Sb) e tipo p (Ga e In) em Si com excesso de vacâncias foram analisadas. As vacâncias foram geradas por implantação iônica de altas doses de oxigênio ou nitrogênio em alta temperatura, de acordo com procedimentos já estudados. Em seguida foram implantados os dopantes com dose de 5x101
Publicado em: 2009
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6. Investigação da Difusão de Portadores em Pontos Quânticos Sob Campo Elétrico Externo Por Meio da Varredura da Microluminescência
In this work, we present the study of energy transfer processes between self-assembled quantum dots (QDs) of InAs in GaAs layers within an intrinsic region of a p-i-n device. These p-i-n structures are assembled with electrical contacts providing the application of an electrical potential. The three samples used have diferent layer spacing and barrier size b
Publicado em: 2009
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7. Processos litográficos em filmes epitaxiais de compostos IV-VI para medidas Hall e o estudo da dopagem do telureto de chumbo com flureto de bário / Lithographic processes in epitaxial films of IV-VI compounds for Hall measurements and the study of lead telluride doping with barium flouride
A primeira parte do trabalho consistiu na implementação de técnicas de litografia para a fabricação da geometria Hall em filmes IV-VI crescidos sobre substratos de BaF_2 (111). Um estudo prévio da difusão do In em filmes de PbTe mostrou a viabilidade da utilização do In como contato metálico. Na realização dos processos litográficos, várias sol
Publicado em: 2009
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8. Propriedades fÃsicas de um gÃs de eletrons 2D na presenÃa de um campo magnÃtico inclinado.
Investigamos os efeitos da interaÃÃo spin-Ãrbita do tipo Rashba e do tipo Dresselhauss e de um potencial com modulaÃÃo periÃdica unidimensional sobre as propriedades fÃsicas de um gÃs de elÃtrons bidimensional, na presenÃa de um campo magnÃtico externo constante e inclinado com respeito a direÃÃo de confinamento. O sistema à caracterizado pelos
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 11/12/2008
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9. Estudo da dinâmica de crescimento de nanofios autosustentados do grupo III-V sobre substratos GaAs(100) e GaAs(111)B a partir de técnicas correlatas e epitaxia por feixes moleculares
Neste trabalho, apresenta-se o estado da arte sobre o mecanismo de formação de nanofios semicondutores autosustentados, crescidos a partir de elementos da tabela periódica dos grupos III e V pela técnica de MBE. No primeiro capítulo, apresenta-se uma breve resenha das técnicas experimentais de crescimento de nanofios utilizadas. O segundo capítulo con
Publicado em: 2008
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10. Determinação das propriedades térmicas e óticas do semicondutor CdTe por espectroscopia fototérmica / Determination of thermal and optical properties of the semiconductor CdTe by photothermal spectroscopy
Este trabalho faz uma sucinta revisão de literatura em que são abordadas as técnicas de espectroscopia fotoacústica (PAS) e fotopiroelétrica (PPES). Para utilização destas técnicas espectroscópicas, são necessárias células de detecção de sinal fotoacústico e fotopiroelétrico, que foram desenvolvidas e testadas. Após o desenvolvimento da inst
Publicado em: 2008
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11. Desenvolvimento e otimização de um fotodetector de silício bidimensional sensível à posição
O conhecimento da física de semicondutores foi usado para desenvolver e otimizar um sensor ótico de silício capaz de determinar com precisão a posição bidimensional de incidência de um feixe de luz em sua superfície. O sensor usa o efeito de fototensão lateral para gerar um sinal elétrico de saída que é função da posição de incidência da luz
Publicado em: 2007
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12. Análise de processos de limpeza e difusão na fabricação de células solares
A busca por dispositivos mais eficientes faz com que a pesquisa com semicondutores utilize materiais cada vez mais puros, com menos defeitos e, consequentemente, mais caros. A indústria de células solares busca dispositivos que tenham uma boa razão entre custo de produção e eficiência de conversão para se tornar mais competitiva comercialmente. Para r
Publicado em: 2007