Semicondutores Distribuicao De Impurezas
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1. A fusão zonal horizontal aplicada ao crescimento de policristais grosseiros de alumínio
A fusão zonal compreende uma família de métodos para controle e distribuição de impurezas na qual uma pequena zona fundida é deslocada lentamente ao longo de um material sólido, redistribuindo o soluto. Ela é utilizada na purificação de materiais, num processo denominado refino zonal, mas também pode ser usada na distribuição homogênea ou desco
Publicado em: 2010
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2. Simulação dos processos de migração e relexação energética em sistemas orgânicos pi-conjugados emissores de luz / Simulation of energy migration and relaxation processes in organic pi-conjugated systems
Neste trabalho, o método de Monte Carlo é utilizado para simular o processo de difusão espectral da excitação em um sistema polimérico emissor de luz. A metodologia utilizada incorpora a relaxação energética intramolecular, a migração de energia incoerente entre segmentos conjugados e o processo final que pode ser radiativo (luminescência) ou nã
Publicado em: 2007
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3. Aspectos estruturais e eletronicos de clusters de silicio e germanio dopados com nitrogenio
A importância dos semicondutores no campo tecnológico tem sido contrastado pela ausência significativa de informações teóricas sobre sua natureza, bem como da ação de possíveis impurezas. Neste trabalho nos concentramos em alguns aspectos relacionados às propriedades de semicondutores de Si e Ge. Especial ênfase foi dada ao N em função da sua po
Publicado em: 2001
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4. Estudo das propriedades magneticas de sistemas com alta correlação eletronica
Este trabalho de doutoramento apresenta, principalmente, uma sistemática de experimentos de Ressonância Paramagnética Eletrônica (RPE) e suscpetibilidade magnética para estudos das propriedades magnéticas de diversos sistemas com alta correlação eletrônica, tais como: 1) Supercondutores de alta temperatura crítica (HTS) 2) Sistemas de Férmions pes
Publicado em: 1999
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5. Propriedades eletronicas de estados de valencia em nanoestruturas de SiGe/Si
Nesta monografia apresentamos um estudo das propriedades de sistemas bi-dimensionais (2D) e zero-dimensionais (0D) formados a partir de heteroestrutura Si1-xGex/Si dopadas de tipo-p. A descrição do sistema 2D é feita em termos do Hamiltoniano de Luttinger-Kohn, incluindo-se as bandas split-off e os efeitos de tensão; a interação Coulombiana dos buracos
Publicado em: 1997
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6. Estados excitados de impurezas hidrogenoides rasas em poços quanticos de GaAs-GaA1As
O estudo de impurezas rasas em heteroestruturas, tais como poços quânticos e superardes, tem sido de contínuo interesse nos últimos anos. Comparações bem sucedidas entre resultados experimentais [e.g. fotoluminescência: N. N. Ledentsov et al., Appl. Phys. A 54, 261 (1992)] e cálculos teóricos [L. E. Oliveira and G. D. Mahan, Phys. Rev. B 47, 2406 (1
Publicado em: 1994
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7. Recombinação devido a pares doador-aceitador em semicondutores
A revised theory of the radiative emission due to donor-aceptor pairs in semiconductors, along with tha analysis of the various parameters which enter into the calculation of the variation of intensity of emission with the pair distance, is worked out. A model to calculate tha impurity states is proposed, more realistic approximations for the pair capture cr
Publicado em: 1976