Semicondutores Juncoes
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1. Cálculos de estrutura eletrônica de materiais e nanoestruturas com inclusão de autoenergia: Método LDA - 1/2. / Electronic structure calculations of material and nanostructures with the inclusion of the self-energy: the LDA - 1/2 method.
Neste trabalho, utilizamos o desenvolvimento recente do método DFT/LDA-1/2 para cálculos de estados excitados em materiais. Começamos com um resumo da teoria do funcional da densidade (DFT) e incluímos uma introdução ao método LDA-1/2 para cálculos de excitações em sólidos. Na compilação dos resultados esperamos ter demonstrado a utilidade do LD
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 13/12/2011
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2. Protótipo de um microgerador termoelétrico de estado sólido: cogeração a gás
A conversão termoelétrica da energia pode ser realizada diretamente em geradores sem partes móveis, que utilizam o princípio do efeito SEEBECK, obtido em junções de condutores termopares e mais recentemente nas junções semicondutoras tipo p-n que apresentam maior eficiência de conversão. Quando os termogeradores são expostos a uma diferença de te
Publicado em: 2009
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3. Nanofios semicondutores : analise de propriedades eletricas e estruturais por microscopia no modo Kelvin Probe / Semiconductor nanowires : analysis of electric and structural properties by Kelvin Probe force microscopy
As propriedades elétricas de nanofios (InAs, InP, InP-InAs-InP, InAsP) individuais e em junções foram estudadas implementando simultaneamente as técnicas Non Contact Atomic Force Microscopy NC-AFM (para aquisição da topografia) e Amplitude-sensitive Modulated Kelvin Probe Microscopy AM-KPFM (fornece medidas do Potencial de Superfície), permitindo corr
Publicado em: 2008
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4. Dopagem tipo-n em estruturas SIMOX
Foram estudadas a ativação elétrica e a redistribuição de As (dopante tipo n) implantado em SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Estruturas SIMOX com diferentes espessuras da camada superficial de Si e do óxido enterrado foram usadas. As implantações de As+ foram feitas com a energia de 20 keV e doses de 5x1014cm-2 ou 2x1015cm-2. Um perfil em form
Publicado em: 2008
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5. Desenvolvimento e otimização de um fotodetector de silício bidimensional sensível à posição
O conhecimento da física de semicondutores foi usado para desenvolver e otimizar um sensor ótico de silício capaz de determinar com precisão a posição bidimensional de incidência de um feixe de luz em sua superfície. O sensor usa o efeito de fototensão lateral para gerar um sinal elétrico de saída que é função da posição de incidência da luz
Publicado em: 2007
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6. Difração Bragg-Superficie (BSD) : uma sonda de alta resolução para o estudo da implantação de ions em supercondutores / Bragg-Surface diffraction (BSD) : high resolution microprobe to study ion implanted semiconductors
Neste trabalho, a difração Bragg-Superfície (BSD), um caso especial da difração múltipla de raios-X, foi usada como uma microssonda de superfície com resolução para a detecção de defeitos originados próximos da interface cristal-amorfo (c-a) em junções rasas de B em Si, e uma nova técnica de caracterização de semicondutores (GaAs) submetidos
Publicado em: 2006
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7. Caracterização elétrica de células solares de tripla tecnologia de matérias e sensores / Electrical characterization of triple junction solar cells - GAINP/GAAS/GE
Células solares tripla junção (TJ) utilizam uma combinação de materiais semicondutores para capturar mais eficientemente os fótons na faixa de 300nm a 1800nm do espectro solar. A eficiência mínima de conversão AM0 para uma célula de TJ de primeira geração para uso espacial é de 26%. O GaInP, GaAs e Ge foram escolhidos devido a capacidade coletiv
Publicado em: 2006
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8. Glass passivation in power rectifiers. / Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência.
The search for better electrical properties, new passivating materials for semiconductors junctions and the process of obtaining those ones have being studied intensively in the latest decades. There are two types of passivation layers: thick film and thin film. The first one is obtained by the deposition of silicon oxides, silicon nitride or silicon carbide
Publicado em: 2006
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9. Processos termicos rapidos RTO / RTA para fabricação de dispositivos MOS / Rapid thermal process RTO / RTA for MOS devices fabrication
Filmes ultra-finos e finos de óxido de silício (SiO2) foram obtidos por oxidação (RTO) e recozimento (RTA) térmicos rápidos, usando diferentes temperaturas de 600, 700, 800 e 960oC por 40s, em ambiente de oxigênio e de nitrogênio, respectivamente. A caracterização por elipsometria (para índice de refração fixo de 1.46), por microscopia eletrôni
Publicado em: 2005
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10. "Propriedades elétricas e ópticas de junções PIN de materiais semicondutores III-V sobre substratos de GaAs orientados na direção [311]A e [211]A"
Neste trabalho foram processados e caracterizados dispositivos emissores de luz (LEDs) baseados em estruturas p-i-n a partir de filmes de GaAs dopados unicamente com Silício e crescidos através da técnica de Epitaxia de Feixes Moleculares sobre substratos de GaAs orientados nas superfícies (311)A e (211)A. Nas superfícies (311)A e (211)A, o Si tem com
Publicado em: 2003
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11. Estudo de propriedades eletricas no sistema tensionado InAs/InP
Este trabalho teve como objetivo implementar novas técnicas de microscopia por varredura com ponta de prova no equipamento existente no LPD/DFA/UNICAMP e aplicá-las ao estudo de propriedades elétricas de nanoestruturas semicondutoras. Em particular, foi necessário projetar, construir e implementar no microscópio, um circuito eletrônico de medição de
Publicado em: 2002
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12. Contribuição ao crescimento e caracterização do diamante dopado visando futuras aplicações em eletronica
Foram realizados estudos de dopagem do diamante, e estudos da interface entre o diamante e o silício poroso. Os filmes foram crescidos pelo método de deposição química a partir da fase vapor assistido por :fi1amento quente. A fonte precursora de carbono foi álcool etílico e acetona, diluídos em hidrogênio. O boro foi introduzido através da diluiç�
Publicado em: 2000