Silicio Tecnologia
Mostrando 1-12 de 97 artigos, teses e dissertações.
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1. Tomografia por emissão de pósitrons/ressonância magnética (PET/RM): atualização e experiência inicial do HC-FMUSP
Resumo A nova tecnologia PET/RM é o protótipo de diagnóstico por imagem híbrido e permite combinar dados moleculares obtidos da tomografia PET e informações morfofuncionais derivadas da ressonância magnética. Avanços recentes relativos a aspectos técnicos desse dispositivo, principalmente após o desenvolvimento de fotomultiplicadores de silício c
Rev. Assoc. Med. Bras.. Publicado em: 2018-01
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2. Processamento, propriedades e aplicações das cerâmicas de nitreto de alumínio
Resumo O nitreto de alumínio (AlN) é considerado um adequado material para substratos e materiais de encapsulamento de dispositivos microeletrônicos devido à elevada condutividade térmica, às excelentes propriedades elétricas e ao coeficiente de expansão térmica próximo daquele observado para o silício. Estas propriedades tornam o AlN um excelente
Cerâmica. Publicado em: 2017-12
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3. Sob a pele: implantes subcutâneos, hormônios e gênero
Resumo Neste artigo, discutimos o desenvolvimento dos implantes subcutâneos de hormônios. Após apresentar alguns dos elementos e controvérsias que envolveram seu surgimento no Brasil, e partindo da atuação do médico baiano Elsimar Coutinho para esse processo, ressaltamos a estabilização desse formato alternativo de administração de hormônios: a v
Horiz. antropol.. Publicado em: 2017-04
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4. Carbeto de Silício como Material Base para Sensores MEMS de Uso Aeroespacial: Uma Visão Geral
Este artigo discute o emprego do carbeto de silício (SiC), na forma de substrato e filme fino, em sensores MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) para aplicações em ambientes sujeitos a condições extremas, especialmente no setor aeroespacial. As propriedades físicas e químicas do SiC que o tornam um material adequado para dispositivos eletrônicos e
Matéria (Rio J.). Publicado em: 2014-09
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5. Texturização da superfície de silício monocristalino com NH4OH e camada antirrefletora para aplicações em células fotovoltaicas compatíveis com tecnologia CMOS = : Texturing the surface of monocrystalline silicon with NH4OH and anti-reflective coating for applications in photovoltaic cells compatible with CMOS technology / Texturing the surface of monocrystalline silicon with NH4OH and anti-reflective coating for applications in photovoltaic cells compatible with CMOS technology
Este trabalho apresenta o desenvolvimento de células fotovoltaicas de junção n+/p em substratos de Si com processos de fabricação totalmente compatíveis com a tecnologia CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Os processos compatíveis desenvolvidos neste trabalho sao as técnicas: i) de texturização da superfície do Si, com reflexao da supe
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/08/2012
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6. Obtenção de filmes finos de SiC, SiCN e AlN por magnetron sputtering para aplicação em microsensores
No presente trabalho é reportado o crescimento de filmes finos de carbeto de silício (SiC), carbonitreto de silício (SiCN) e nitreto de alumínio (AlN) pela técnica de pulverização catódica com dois magnetrons (dual magnetron sputtering) visando a aplicação destes materiais na confecção de microsensores. Alvos de silício e carbono foram utilizado
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 13/04/2012
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7. Desenvolvimento de equipamento produtor de pasta mineral para aproveitamento dos rejeitos das lamas calcárias e diminuição do impacto ambiental.
No beneficiamento de fosfatos tem-se a geração de quantidades consideráveis de rejeitos dentre os quais está presente o calcário, podendo ser reaproveitados segundo as características do tipo de calcário produzido. O método mais utilizado no beneficiamento de fosfato para a disposição de rejeitos é o armazenamento em bacias (barragens). Esta abord
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/02/2012
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8. Double-gate nanotransistors in silicon-on-insulator : simulation of sub-20 nm FinFETs / Nano-transistores de porta dupla em silício sobre isolante simulação de FinFETs sub-20nm
Esta Tese apresenta os resultados da simulação do transporte eletrônico em três dimensões (3D) no nano dispositivo eletrônico conhecido como ¿SOI-FinFET¿. Este dispositivo é um transistor MOS em tecnologia Silício sobre Isolante ¿ ¿Silicon-on- Insulator¿, SOI ¿ com porta dupla e cujo canal e zonas de fonte e dreno são realizadas em uma estrutu
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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9. Sensor de corrente transiente para detecção do SET com célula de memória dinâmica
Esta dissertação trata do projeto e avaliação de um novo circuito sensor de corrente com célula de memória dinâmica para a detecção de correntes transientes em circuitos integrados CMOS, provocadas pela incidência de partículas ionizantes. As propostas previamente existentes na literatura são avaliadas e suas deficiências são apontadas. É apre
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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10. Análise da viabilidade do uso da liga AA332 para processos de tixoconformação / Evaluation of thixoformability of AA332 for the thixoforming technology
A tecnologia de semi-sólidos normalmente utiliza ligas de alumínio de baixo silício, como AA356 (Al-7,0wt%Si) como matéria-prima. Ligas contendo alto teor de silício com uma composição quasi-eutética diminuem a faixa semi-sólida, tornando difícil controlar a temperatura de tixoconformação. Entretanto, ligas de alumínio com alto teor de silício
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/12/2011
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11. Modelagem de sistema de detecção para mamografia por emissão de pósitrons utilizando detectores cintiladores monolíticos / Modeling of a detection system for positron emission mammography using monolithic scintllator detectors
O objetivo deste trabalho foi propor, caracterizar e avaliar, por meio de simulações computacionais, um sistema de detecção de um tomógrafo PET (Positron Emission Tomography) dedicado para pequenas regiões. Os principais fatores considerados para a modelagem do sistema foram: resolução energética, resolução espacial, sensibilidade de detecção e
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 05/10/2011
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12. Numerical simulation of MEMS-based cold gas micronozzle flows / Simulação numérica do escoamento de gás frio em microbocais baseados em MEMS
A atual tendência no projeto de sistemas espaciais tem caminhado no sentido de se reduzir o custo do ciclo de vida dos programas através da redução da complexidade das missões dos satélites. Nesse contexto, umas das opções diz respetio à redução da massa total do sistema. Desse modo, conceitos de micropropulsão baseados em microtecnologias têm s
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 15/09/2011