Silium
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1. Development of silicon-germanium films for MOS / Desenvolvimento de filmes de silicio-germanio para aplicações em dispositivos MOS
Conforme os dispositivos eletrônicos atingem dimensões nanométricas, surgem limitações que não podem ser solucionadas com os materiais empregados atualmente, como efeito de canal curto, depleção de porta, corrente de fuga e variação do Vt devido à variação estatística da dopagem. Dessa forma, novos materiais devem ser introduzidos no processo d
Publicado em: 2006