Tensao De Porta
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1. Morbidade, utilização de cuidados curativos e preferências de ponto de entrada aos serviços na área metropolitana de Centro Habana, Cuba
Resumo: Os serviços de saúde de primeira linha, ou aqueles com uma abordagem de atenção primária, servem como indutor forte de comportamentos de busca de cuidados de saúde. Estudos sobre a associação entre a prevalência de doenças crônicas e problemas agudos e o uso de serviços enfatizam a importância dos determinantes socioeconômicos desses pa
Cad. Saúde Pública. Publicado em: 03/11/2016
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2. Um Corpo Marcado, Lugar Secreto das Palavras
O filme A vida secreta das palavras realça o caráter traumático do sofrimento e a função da fala. Nele, o corpo se apresenta como palco dos efeitos da experiência dolorosa. A experiência subjetiva do trauma, inapreensível e difícil de ser suportada, volta sempre ao mesmo lugar, mas escapa; encontrá-la é impossível, por isso o sujeito repete a ten
Psicol. cienc. prof.. Publicado em: 2015-03
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3. Os sentidos do Acolhimento: um estudo sobre o acesso à atenção básica em saúde no Rio de Janeiro
O Ministério da Saúde estabelece que a recepção na atenção básica ocorra pela modalidade de assistência nomeada Acolhimento com Classificação de Risco. Fruto da Política Nacional de Humanização, o Acolhimento preconiza novas sensibilidades, com ênfase em dimensões afetivas e relacionais. Contudo, a reorganização do acesso sustenta-se nas reg
Cad. saúde colet.. Publicado em: 2014-12
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4. Construção de um sistema automatizado para caracterização elétrica de semicondutores pelo método de Van Der Pauw
Nos materiais semicondutores a condução elétrica ocorre através do movimento de cargas negativas (elétrons) ou positivas (formadas por lacunas deixadas pelos elétrons). Assim, o efeito Hall nos materiais semicondutores poderá informar qual o tipo e a densidade dos portadores de carga na amostra e a mobilidade destas cargas. Além dessas grandezas, out
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/07/2012
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5. Desenvolvimento de materiais e métodos de fabricação de sensores químicos/bioquímicos baseados em silício e nanoestruturas de carbono (ISFET, CNTFET e GraFET) : Development of materials and methods of fabrication of chemical/biochemical sensors based on silicon and carbon nanostructures (ISFET, CNTFET and GraFET) / Development of materials and methods of fabrication of chemical/biochemical sensors based on silicon and carbon nanostructures (ISFET, CNTFET and GraFET)
Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de materiais e métodos avançados de fabricação de sensores químicos/bioquímicos. Utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da UNICAMP, foram desenvolvidos e caracterizados filmes finos de alta constante dielétrica e filmes metálicos. Os materiais desenvolvidos foram
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/07/2012
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6. Escolhas para inovarmos na produção do cuidado, das práticas e do conhecimento: como não fazermos "mais do mesmo"
Cinco questões teórico-práticas são apresentadas e colocadas em discussão no artigo: a quimera da atenção básica em saúde (a promessa que nunca vira realidade de uma rede de atenção básica que seja resolutiva, qualificada, que cuide dos serviços e promova a vida em todas as dimensões, além de ser uma porta de entrada para o sistema nacional de
Saúde e Sociedade. Publicado em: 2012-06
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7. Double-gate nanotransistors in silicon-on-insulator : simulation of sub-20 nm FinFETs / Nano-transistores de porta dupla em silício sobre isolante simulação de FinFETs sub-20nm
Esta Tese apresenta os resultados da simulação do transporte eletrônico em três dimensões (3D) no nano dispositivo eletrônico conhecido como ¿SOI-FinFET¿. Este dispositivo é um transistor MOS em tecnologia Silício sobre Isolante ¿ ¿Silicon-on- Insulator¿, SOI ¿ com porta dupla e cujo canal e zonas de fonte e dreno são realizadas em uma estrutu
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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8. Controle de Corrente de Spin em Pontos Quânticos na Presença de Tensões de Porta Moduladas no Tempo
Since Loss &DiVincenzo proposal to use confined electron spins in quantum dots (QDs) as a building block for qubits in solid state systems, spin-dependent transport in QDs has attracted a lot of attention. The interest for this system increased even further with the recent experimental developments to coherently control (initialization-manipulation-read out)
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 09/08/2011
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9. Influência do Crescimento Epitaxial Seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado. / Influence of Selective Epitaxial Growth (SEG) in strained SOI triple gate N transistors.
Este trabalho apresenta um estudo da influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em dispositivos tensionados mecanicamente (strain) em transistores SOI MuGFET de porta tripla. Com a evolução da tecnologia de integração de transistores, alguns efeitos parasitários são eliminados ou diminuídos, porém outros novos surgem. A tecnologia SOI MuGFET
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/05/2011
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10. Uso da irrigação por capilaridade na produção de porta-enxertos de limão cravo na fase de tubetes / Use of capillary irrigation growing Citrus limonia L. in small recipients
A produção de mudas de citros no estado de São Paulo se caracteriza pelo emprego de sistemas manuais de irrigação por aspersão com manejo de lamina superestimada, implicando em baixas eficiências de aplicação de água. O emprego da irrigação por capilaridade, ou subirrigação, e uma opção com condições técnicas para maximizar o desenvolvimen
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 13/01/2011
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11. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI Mosfet fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica. / Zero temperature coefficient study in SOI mosfets with submicrometer technology.
Neste trabalho é apresentado um estudo do ponto ZTC (Zero Temperature Coefficient) em dispositivos SOI MOSFETs, funcionando em modo parcialmente (PD-SOI) e totalmente (FD-SOI) depletados. O estudo é realizado a partir de um modelo analítico simples, proposto para determinação da tensão de polarização da porta do transistor no ponto ZTC (VZTC), atrav�
Publicado em: 2011
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12. Uma história de sucesso na educação científica : a duplicidade da prática docente / A history of success in science education : the teaching practice duplicity
O objetivo desta pesquisa é compreender uma situação de ensino bem sucedida num curso Oficina de Ciências em 2008 envolvendo um grupo de oito alunos do ensino fundamental (3ª e 4ª série) num contexto de alfabetização científica. Da pesquisa e reflexão da professora-pesquisadora sobre a condução de seu ensino e a sustentação da aprendizagem de
Publicado em: 2011