1. Células SRAM de ultra baixa tensão com polarização de substrato

Esta dissertação visa o estudo da célula SRAM de 6 transistores, utilizando tecnologia CMOS convencional, operando em ultra baixa tensão de alimentação e conseqüentemente com baixo consumo. Para isso, os transistores MOS deverão operar no regime de inversão fraca. Nesse regime, as correntes dos transistores dependem exponencialmente das tensões apl

Publicado em: 2008

2. Fabricação e estudo das propriedades de transporte de transistores de filmes finos orgânicos / Manufacturing and study of charge transport properties of organic thin film transistors

A eletrônica digital desempenha papel essencial no desenvolvimento e manutenção dos padrões de vida em prática hoje no mundo. A peça fundamental para a criação desta era tecnológica é sem dúvidas o transistor. Com o advento de novos materiais, a busca por transistores que oferecem novas oportunidades de processamento e aplicação permitiu que uma

IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/10/2012

3. Estudo das capacitâncias de porta em transistores MOS sem junção

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI. Publicado em: 2012

4. Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores com canal por medida pulsada

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI. Publicado em: 2012

5. Technology mapping for virtual libraries based on cells with minimal transistor stacks / Mapeamento tecnológico para bibliotecas virtuais baseado em células com cadeias mínimas de transistores em série

Atualmente, as tecnologias disponíveis para a fabricação de dispositivos eletrônicos permitem um alto grau de integração de semicondutores. Entretanto, esta integração torna o projeto, a verificação e o teste de circuitos integrados mais difíceis. Normalmente, o projeto de circuitos integrados é consideravelmente afetado com a diminuição do tam

Publicado em: 2009

6. Estudo do efeito do autoaquecimento em transistores MOSFETS fabricados em estruturas FINFETS e estruturas FINFETS modificadas

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI. Publicado em: 2013

7. Leakage current modeling in sub-micrometer CMOS complex gates / Modelagem de corrente de fugas em portas lógicas CMOS submicrométricas

Para manter o desempenho a uma tensão de alimentação reduzida, a tensão de threshold e as dimensões dos transistores têm sido reduzidas por décadas. A miniaturização do transistor para tecnologias sub-100nm resulta em um expressivo incremento nas correntes de fuga, tornando-as parte significativa da potencia total, alcançando em muitos casos 30-50%

Publicado em: 2008

8. Preparação de transistores de efeito de campo nanoestruturados na análise de processos neuroquímicos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Publicado em: 2012

9. Estudo experimental da correlação dos parametros eletricos DC e o ruido em transistores bipolares planares

Not informed

Publicado em: 1992

10. Contribuição a otimização da estrutura de transistores mos de potencia de estrutura não coplonar

Not informed

Publicado em: 1982

11. Análise dos efeitos de dose total ionizante em transistores CMOS tecnologia 0,35 μm

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS. Publicado em: 2013

12. Analysis of transistor sizing and folding effectiveness to mitigate soft errors / Análise da influência do dimensionamento e partição de transistores e na proteção de circuitos contra efeitos de radiação

Este trabalho apresenta uma avaliação da eficiência do dimensionamento e particionamento (folding) de transistores para a eliminação ou redução de efeitos de radiação. Durante o trabalho foi construído um modelo de transistor tipo-n MOSFET para a tecnologia 90nm, utilizando modelos preditivos. O transistor 3D modelado foi comparado com o modelo de

IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2009